RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
87
96
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
96
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
10.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1211
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link