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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
87
96
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
96
读取速度,GB/s
3,155.6
10.5
写入速度,GB/s
870.4
5.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1211
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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