TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 7.5

Среднее значение в тестах

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 87

Около -85% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 47
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 10.0
Скорость записи, Гб/сек

870.4 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 2308

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

модули RAM

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM