Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 39

Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.7 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.7 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

23400 10600

Около 2.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 30
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 14.7
Скорость записи, Гб/сек

7.2 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 23400

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1749 2935

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM