RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
92
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2938
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link