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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
92
Autour de -300% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2938
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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