RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2938
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link