RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
53
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3055
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link