RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3299
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link