RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
3510
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link