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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.5
17.5
写入速度,GB/s
8.4
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3510
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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