RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
96
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3726
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link