RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
96
Около -220% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3564
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link