RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
96
Около -243% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3463
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link