RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
96
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
52
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2306
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link