RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2852
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link