RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
96
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2852
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link