RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
96
Por volta de -300% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2852
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link