RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
96
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.4
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
71
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1650
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link