RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
72
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
72
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
1731
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link