RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
4250
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link