RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2699
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link