RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
4084
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link