RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
1858
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link