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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
10.9
12.5
写入速度,GB/s
7.5
6.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1858
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
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