RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
44
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
20.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
3343
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link