RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
44
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
20.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
3343
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link