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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
12.2
11.0
写入速度,GB/s
8.5
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1677
2481
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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