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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

总分
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

总分
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 47
    左右 -81% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    10.4 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2169 left arrow 3692

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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