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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO M418039 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
40
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
20
读取速度,GB/s
11.3
16.0
写入速度,GB/s
7.5
7.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2414
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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INTENSO M418039 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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