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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
46
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
46
读取速度,GB/s
11.3
10.5
写入速度,GB/s
7.5
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2368
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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