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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
46
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
46
读取速度,GB/s
11.3
11.0
写入速度,GB/s
7.5
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2481
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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