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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
56
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
56
读取速度,GB/s
11.3
18.7
写入速度,GB/s
7.5
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2235
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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