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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
75
94
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
75
读取速度,GB/s
1,882.0
15.6
写入速度,GB/s
1,165.4
7.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
1717
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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