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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
94
左右 -292% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
24
读取速度,GB/s
1,882.0
15.8
写入速度,GB/s
1,165.4
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2761
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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