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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
94
En -292% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
24
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2761
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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