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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
94
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.4
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
57
读取速度,GB/s
1,882.0
9.4
写入速度,GB/s
1,165.4
7.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2170
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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