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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
9.8
15.7
写入速度,GB/s
4.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
2868
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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