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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
9.8
16.0
写入速度,GB/s
4.6
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
3127
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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