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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
5,135.8
16.1
写入速度,GB/s
2,343.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3305
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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