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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
53
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
53
读取速度,GB/s
5,135.8
10.1
写入速度,GB/s
2,343.1
8.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2319
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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