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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
11.6
13.8
写入速度,GB/s
7.3
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2920
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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