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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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更快的读取速度,GB/s
16.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
30
读取速度,GB/s
10.6
16.5
写入速度,GB/s
6.8
12.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3058
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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