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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
5,135.8
15.5
写入速度,GB/s
2,343.1
9.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2202
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
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