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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
14.0
14.0
写入速度,GB/s
8.5
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2327
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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