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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
38
读取速度,GB/s
10.6
14.2
写入速度,GB/s
6.8
9.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2470
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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