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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
23
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
23
读取速度,GB/s
17.8
17.0
写入速度,GB/s
10.0
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
3011
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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