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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.9
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
34
读取速度,GB/s
15.5
20.9
写入速度,GB/s
11.8
13.5
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3343
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-023.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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