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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
39
读取速度,GB/s
15.5
8.7
写入速度,GB/s
11.8
6.2
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
1842
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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