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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
Kingston KCDT82-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KCDT82-MIE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
56
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
38
读取速度,GB/s
4,315.2
17.0
写入速度,GB/s
1,925.7
12.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
2302
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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