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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
2,614.5
16.7
写入速度,GB/s
1,145.9
13.2
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3025
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
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